سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر

هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود. بدأت سامسونج الآن بعمليات الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي DDR4 فئة 8 جيجابت بتقنية 10 نانومتر، والتي سوف تكون الأساس لذاكرة الوصول العشوائي DDR4 الخاصة بها في المستقبل. الجيل الجديد من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ستكون 10٪ أسرع و15٪ أكثر كفاءة عن سابقتها. ذاكرة 8Gb DDR4 الجديدة يمكنها القيام بعمليات … هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود.

آبل ستضع جهاز تخطيط القلب في ساعتها آبل ستضع جهاز تخطيط القلب في ساعتها
تقديم هاتف Vivo V7 باللون الأزرق الزاهي تقديم هاتف Vivo V7 باللون الأزرق الزاهي
دووك تطرح منصة سحابية لإدارة عمليات التوصيل دووك تطرح منصة سحابية لإدارة عمليات التوصيل
توصيل النت من الكمبيوتر للموبايل عبر البلوتوث بدون برامج توصيل النت من الكمبيوتر للموبايل عبر البلوتوث بدون برامج
السلع والخدمات الخاضعة لضريبة القيمة المضافة السلع والخدمات الخاضعة لضريبة القيمة المضافة
أخبار على الهامش : الأسبوع 14-21 ديسمبر أخبار على الهامش : الأسبوع 14-21 ديسمبر
LG تُعلن عن شاشة 34WK95U مقاس 34 بوصة بدقة 5K LG تُعلن عن شاشة 34WK95U مقاس 34 بوصة بدقة 5K