سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر

هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود. بدأت سامسونج الآن بعمليات الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي DDR4 فئة 8 جيجابت بتقنية 10 نانومتر، والتي سوف تكون الأساس لذاكرة الوصول العشوائي DDR4 الخاصة بها في المستقبل. الجيل الجديد من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ستكون 10٪ أسرع و15٪ أكثر كفاءة عن سابقتها. ذاكرة 8Gb DDR4 الجديدة يمكنها القيام بعمليات … هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود.

تحديث نتفليكس ليدعم محتويات بدقة HDR في أنظمة ويندوز 10 تحديث نتفليكس ليدعم محتويات بدقة HDR في أنظمة ويندوز 10
هاتف مايت 10 بتصميم بورشه متوفر حصرياً عبر زين السعودية هاتف مايت 10 بتصميم بورشه متوفر حصرياً عبر زين السعودية
نون تطلق حملة هلا بالعروض مع تنزيلات فلاش استثنائية نون تطلق حملة هلا بالعروض مع تنزيلات فلاش استثنائية
تعرف على نظارة الواقع المختلط من Magic Leap تعرف على نظارة الواقع المختلط من Magic Leap
أفكار تساعدك على بدء عملك الحر على الإنترنت أفكار تساعدك على بدء عملك الحر على الإنترنت
أفضل 3 برامج مكافحة الڤيروسات لنظام الماك أفضل 3 برامج مكافحة الڤيروسات لنظام الماك
آبل تؤكد أن بطاريات هواتف آيفون القديمة ستُأثر على أدائها آبل تؤكد أن بطاريات هواتف آيفون القديمة ستُأثر على أدائها
دووك تطرح منصة سحابية لإدارة عمليات التوصيل دووك تطرح منصة سحابية لإدارة عمليات التوصيل